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논문

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지식재산권
논문명 (국문)
논문명 (영문) Significant improvement of reverse leakage current characteristics of Si-based homoepitaxial InGaN/GaN blue light emitting diodes
발표저널 이문상
SCI여부 SCI 권/호 9권1호
IF 4.011 페이지 1-6
발표국가 영국 발표년도 2019
발표일자 2019-01-30
내부저자 이문상,이현욱
활용장비
DOI 10.1038/s41598-019-38664-x
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